AS4C64M16D3B-12BAN

Alliance Memory
913-A4C64M16D3B12BAN
AS4C64M16D3B-12BAN

Fabr.:

Descripción:
DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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Plazo de producción de fábrica:
8 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
10,20 € 10,20 €
9,48 € 94,80 €
9,18 € 229,50 €
8,97 € 448,50 €
8,55 € 855,00 €
8,15 € 1.548,50 €
8,01 € 4.565,70 €
7,91 € 9.017,40 €
2.660 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3
1 Gbit
16 bit
800 MHz
FBGA-96
64 M x 16
20 ns
1.425 V
1.575 V
- 40 C
+ 105 C
AS4C64M16D3B
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 190
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.): 87 mA
Peso unitario: 3,698 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.