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ALD210800ASCL

Name: Advanced Linear Devices ALD210800ASCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD210800ASCL
Price: 11.36 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

585-ALD210800ASCL

Fabr. N.º:

ALD210800ASCL

Fabr.:

Advanced Linear Devices

Descripción:

MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos:

ALD210800ASCL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	11,36 €	11,36 €
	8,26 €	82,60 €
	6,88 €	688,00 €
	6,14 €	3.070,00 €
	5,73 €	5.730,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-16
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	10.6 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	25 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	20 mV
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 70 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Quad
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD210800A
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	4 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	10 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Peso unitario:	666 mg

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Hoja de datos

ALD210800ASCL Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210800/ALD210800A Precision N-Channel EPAD® MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110800A/ALD110800 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, the ALD210800/ALD210800A features Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels.
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